Abstract
本論文以直流雙靶濺鍍設備，嘗試在矽晶片上成長鈮╱鈦多層薄膜，並量測其電性。若測量多層金屬膜的縱向電性，發現在溫度大於200K之高溫時，與一般金屬膜類似，電阻溫度係數（TCR）為正。但溫度低於150K時，則有負電阻溫度係數之非金屬性。 此外，在低溫量測電流－電壓（I-V）關係時，有電阻陡降的現象，且可重覆量測，表示非多層面薄膜結構被破壞所致。對於這個現象，我們以次能帶（sub-band）共振穿透來解釋。假設在金屬界面有一位能障，則電子穿透此位能障的機制可導致電阻陡降發生。另外，我們在測量電阻與溫度（R-T）關係時，也發現了電阻大幅陡降的情形。此現象我們以電子穿隧能障的機制也可定性描述。 另一方面，我們期望能找出微波下金屬膜電導率對頻率的變化關係。為了達此目標，我們選擇微波波段下幾乎無介電質損耗的剛玉（sapphire）來當基板，並對其晶面與介電常數做量測，以確定其基本性質。接著在其上鍍金屬膜，利用半導體製程技術，製作微帶（microstrip）共振腔。並比較兩種型式共振腔的所計算出的電導率。