Abstract
鈷薄膜或矽或二氧化矽在界面上的反應, 用穿透式顯微鏡(TEM),掃描式電子顯微鏡(SEM),拉福塞背向散射光譜儀(RBS) 和四點探針電性測量。鈷薄膜和矽反應, 發現在(001) 矽的反應速率比在(111) 矽的反應快。對於多晶變成壘晶(C S A )的反應則(001) 矽顯得非常難反應, 這種矽方向的差異所造成的不一致現象, 可以用雜質和矽之間化學鍵斷裂容易與否來解釋。界面上差排的平均間距, 隨退火溫度增高而增大。壘晶所應, 二階式退火過程是一個很有效用的處理方式。砷離子束產生鈷晶粒長大和鈷矽化物形成, 鈷薄膜和二氧化矽之間有微量的反應。