Abstract
本研究利用改變在砷化鎵基板上鈷矽鍍膜的厚度及退火條件探討Co Si，CoSi及CoSi等三種鈷矽化物與砷化鎵之間的界面穩定性。研究結果顯示：Co Si在GaAs上於６５０℃時己不穩定，在８００℃以上，則有明顯的CoAs生成。歐傑電子能譜儀分析顯示，鍍層較厚的試片在８５０℃退火３０分鐘，表層主要為鈷矽化物，並有較多量的砷堆積於試片的表面。而CoSi在GaAs上則顯示了良好的高溫穩定性，穿透式電子顯微鏡及歐傑電子能譜儀的分析顯示在５５０℃退火，CoSi己經形成，此鈷矽化物一直到８５０℃退火３０分鐘仍然穩定，同時，試片表面有砷和鎵堆積。CoSi 在GaAs上亦具有良好的高溫穩定性X 光繞射分析及穿透電子顯微鏡分析都顯示CoSi 一直到８５０℃，退火３０分鐘後仍能穩定存在於GaAs上。歐傑電子能譜儀的分析則顯示，鍍層較厚的試片在８５０℃退火時，雖然鈷矽化物已經形成，但是矽與GaAs之間也有明顯的相互擴散發生。