Abstract
本實驗是利用高真空電子槍在磷離子佈植後的矽晶上蒸鍍一層鈷金屬薄膜,經快速熱退火爐於氮氣氛中做熱處理後,以穿透式電子顯微鏡觀察及分析其表面狀況與界面反應情形,並以四點探針測量其片電阻的變化狀況.所得的主要研究成果如下:(1)蒸鍍較薄的鈷金屬薄膜,會使得CoSi2的磊晶成長更為容易;但相對的,孔洞或島狀結構也容易出現.(2)隨著佈植的磷原子數增加,對CoSi2的磊晶成長及其高溫穩定性亦更為助益.(3)對不同的磷離子佈植能量而言,其在鈷金屬薄膜的矽化反應上並無明顯的差異.(4)基材表面的非結晶化對CoSi2的高溫穩定性有顯著的改善,但其也同時對磊晶的成長有不良的影響.