Abstract
本論文研究鈷—鋁鍍膜與負型GaAs接面之界面穩定性和電性。以電子槍蒸鍍系統製備鈷—鋁薄膜。薄膜總厚度維持在1000Ａ且鈷—鋁的成份比維持在1：1下，探討層狀結構鍍膜中。鈷和鋁鍍層的蒸鍍次序。相對厚度和基板加熱等變數，對界面反應與電性的影響，並且與以雙電子槍共同蒸鍍之鈷—鋁薄膜做比較。並以X光繞射及電子繞射分析界面反應的生成相，以掃描式電子顯微鏡並配合X光映射分析表面結構及相分佈，且作I-V特性曲線的量取。實驗結果簡述如下： 1.不管以層狀蒸鍍或共同蒸鍍。皆可得到介金屬化合物CoAl，然而不見磊晶現象。 2.CoAl化合物可以持續存到850℃，然而伴隨著CoAs，CoGa，AlAs的生成。 3.層狀蒸鍍試＊經550℃退火後，表面變得粗糙，且在850℃時有團塊生成；而以共同蒸鍍方式所得到的表面則到650℃時仍然相當地平整，且不見有團塊形成。 4.在Al和GaAs中間夾、層50A的Co，可以改進二極體的整流性質；然而，當夾層厚度增加至200A時，卻得到相當差的整流性質。 5.以雙電子槍製備的蕭基二極體，其電性優於層狀鍍膜。 6.在蒸鍍過程中加熱基座可以改進電性；然而也使得表面變得粗糙。