Abstract
本論文研究鈷－鋁鍍膜與負型GaAs接面之界面穩定性和電性。以電子槍蒸鍍系統製備鈷－鋁薄膜。薄膜總厚度維持在1000A 且鈷－鋁的成份比維持在1 ：1 下，探討層狀結構鍍膜中，鈷和鋁鍍層的蒸鍍次序，相對厚度和基板加熱等變數，對界面反應與電性的影響，並且與以雙電子槍共同蒸鍍之鈷－薄膜做比較。實驗結果簡述如下：1.400 A Co/600 A A1/n-GaAs系統，經550 ℃退火可形成CoAl，但是溫度高於650 ℃，有CoAs生成，而CoAl的量則隨溫度升高逐漸減少而消失。顯示CoAl化合物在GaAs基板上的高溫穩定性不佳。2.（400-X）A Co/600A A1/xA Co/GaAs系統，嵌入x ＝50的Co薄膜可增加CoAl化合物的高溫穩定性，對CoAs的生成卻無太大影響。但是嵌入x ＝200 的Co薄膜，經350 ℃退火即形成CoAs，而且界面反應生成物更複雜，有一未知化合物生成。3.以雙電子槍共同蒸鍍製備的1000A Co-Al/GaAs系統，其界面穩定性並未改進，界面反應生成物與層狀Co/Al鍍膜相似。4.薄膜蒸鍍時加熱基板雖可增加CoAl的高溫穩定性，對界面反應生成CoAs卻無影響。5.由穿透式電子顯微鏡繞射圖形顯示，薄膜沒有磊晶現象。由掃描式電子顯微鏡觀察試片，發現退火溫度高於650 ℃時，表面有島型結構出現。6.層狀結構鍍膜形成的蕭基二極體，以350A Co/600A Al/50A Co/GaAs 的蕭基特性最佳。而以雙電子槍製備的蕭基二極體，其電性優於層狀鍍膜。