Abstract
對於鉍系列中, 單層銅氧面超導體(Bi, pb) (Sr, M) CuO, 其中M 可以是稀土元素, 也可以是鹼金族元素。由實驗結果知道, 若M 是La元素，可以得到，32K 的最高臨界溫度Tc若Na元素，則Tc最高為10.2K 。用Na元素部分取代Sr元素形成的Bi (SrNa )CuO (2021) 系統，當0.15 X 0.7時，可以形成結構的單一相。最高臨界溫度存在於X=0.3 。由於Na元素無法貢獻較多的電荷，以致於不能有效的提升臨界混度。從1990年C.C, Tsuei提出的超導銅氧面上的Van-Hore Singurality觀念與理論計算，對較低Tc和超導體金層態時的非線性電阻率可以做很好的解釋而對於低Tc的B i( Sr Na )CuO (2021) 系統皆可以發現線性的電阻率。由實驗上發現，對於Bi-(2021) 單層銅氧面系統，銅氧面上的銅氧距離與超導的臨界溫度有很大的關係。唯有在距離介於1.89A 與1.92A 之間情況下，才能形成超導體，而在1.905A時可以得到最高的超導臨界溫度。因為銅氧距離關係著超導電洞對在銅氧面上的濃度，所以表現出不同的Tc。磁通束釘釓對於高溫超導體，是一種本質因素，由於這種因素與磁力線受溫度的熱躍作用，所以造成磁矩值M 是隨時間在改變著，這種磁鬆弛現象在高溫超導體上，是可以很明顯觀察得到的。而這種現象，可以用臨界態模型(critical state model)來解釋。由臨界態電流密度公式：jc=jco [1-(KT/Uo)ln(t/to)]出發，加上Bean critic-al model可以導出磁矩M 對時間的對數微分值dM/dint=Mr(T)•KT/Uo, 其中mr(T) 為剩余磁矩值。從在不同溫度所做的磁鬆弛實驗得到dM/dlnt 值，與從磁滯實驗得到的Mr(T) 就可以得到，磁釘釓位能的值。對於C 軸磁排過的(Bi pd ) (Sr La)CuO 超導體，得到磁釘釓位在250 高斯磁場下平行下垂直晶格C 軸方向的值分別為19mev 與28mev 。表示對於此(2021)系統樣品，其本質的磁釘釓力與其它系統比較，是較小的。#50008880.abs#50008880.abs