Abstract
當鉍薄膜被蒸鍍到幾何相變附近時,有階梯狀雜訊出現,階梯的高度隨薄膜溫度(90K到300K)及外加電流增加而增大,高度與電流的關係顯示出階梯雜訊起源自電阻的擾動.其寬度則隨電流增加而變窄,表示電流的增加會造成系統在不同階的躍遷頻率增加.在我們的模型下,認為鉍薄膜在幾何相變附近時,因為金屬的島狀結構正在形成連接的通路,所以金屬島在形狀上的些微變化便會影響通路的通與否.而當外加電流的密度很大時,鉍原子會因為大量的電子碰撞而遷移,這微小的擾動便造成島的形狀改變,也促使通路在斷與通之間擾動.我們認為這擾動即是階梯雜訊的來源.也就是所謂的電子遷移效應.描述薄膜的成長機制與幾何結構時,由實驗數據顯示,用瑞士乳酪模型(Swiss-cheese model)可以適切得 釋.此模型認為薄膜的通路是以乳酪狀組成,而其寬度 窄到寬均勻分佈,如此很窄的通路便容易因為電子遷凝釋釵茼陶q與斷的變化.所以此模型也可以支持我們珒ㄙ熄弗餔灠T來源.另外階梯雜訊的頻譜與常見的頻v倒數(1/f)雜訊有相當程度的吻合,在電流關係上均是P電流平方成正比,溫度關係也有相同的趨勢,所以推論o兩種雜訊的來源可能一樣或者關係密切.