Abstract
摘要 傳統的微波介電陶瓷，如BMT( Bi(Mg1/3Ta2/3)O3 )或BNT(BaO-TiO2-Nd2O3)系統，雖然都有很好的微波介電特性，但最大的缺點是燒結溫度過高，以BMT來說需要在1650℃的高溫才能達燒結緻密化，而BNT系統的燒結溫度也高達1350℃，過高的燒結溫度使的BMT與BNT在積層微波元件的應用上受到了限制。 Bi2O3-ZnO-Nb2O5系微波介電陶瓷具有良好的微波介電特性，最重要的是其低燒結溫度(<1000℃)，從文獻我們看到隨著Bi2O3-ZnO-Nb2O5之間不同的比例分佈，共振頻率溫度係數tf亦明顯變化，從-500~+160ppm/℃，而在Bi2Zn1.22Nb2O9(BiZN)這個組成下，其共振頻率溫度係數tf?9ppm/℃，而介電常數值K約為65。 在本論文研究中對於降低燒結溫度乃一重要課題，本實驗以V2O5當液相添加劑微量添加到BiZN當中，當添加2 mol%時即可將燒結溫度降低至850℃，且微波介電特性並未改變其Q*F值為63,000、介電常數65、共振頻率溫度係數tf?0ppm/℃，可成功的使用銀來當內電極，並研究材料各元素(Bi、Zn、Nb)與銀電極共燒時之交互擴散(inter diffusion)問題和銀電極與BiZN基材之燒附性問題，盡而解決成功的達成共燒的目的，以利未來設計製作微波元件。