Abstract
在未來極大積體電路中，線寬將小到半微微米以下，傳統的多晶矽或現在研製中的矽化物閘極金氧半場效電晶體電路將會因按線電阻而產生嚴重的傳輸延遲。鉬是一種耐火金屬，賄極好的導電性，相信可以解決此困擾。它尚具備以下之優點：製程、蝕刻均極易，且因顆粒極小可以適用於非常細的線。在此研究中，正性及負性之自行對準鉬閘極場效電晶體和–11級的環形震盪器被成功地製造出。另一方面對鉬與矽的按點電阻亦作了一些探討，發現其特性不遜於現今廣泛使用的矽鋁接點，甚具發展潛力。最後並提出改進的方向如以氮化鉬作包裝可防止鉬氧化的問題。同時採用較純的鉬可改良元件之穩定度。而接點於高溫退化的問題，可用離子混合或快速褪火使界面先行形成矽化鉬的技術改良。