Abstract
本實驗是利用電子顯微鏡及四點探針法來觀察鉑金屬薄膜在矽晶上的界面反應。鉑矽化物在各種矽晶上的形成相並沒有明顯差別，先是形成雙鉑化矽，然後形成鉑化矽。針狀鉑化矽在Pt╱α－Si（α-Si deposited PECVD ）的試片中被發現，氟氣泡在o-riginal a╱c interface，Pt Si╱Si interface及PtSi 中被發現。在鉑矽化物形成時，BF 離子佈植時殘存的終端缺陷並無明顯的減少。鉑矽化物的電阻值在２００?８００℃被四點探針法所量測。在雙矽化鉑形成時電阻值先下降，在鉑化矽形成時，有微微下降。