Abstract
鑽石膜在高溫電子元件應用研究上，以過渡金屬╱鑽石膜之接面研究最多。但接面電性的不穩定卻一直存在。本論文主要是在探討造成金屬鑽石膜接面電性不穩定的二大原因。首先是在金╱多晶鑽石膜接面系統中，我們發現在接面退火過程時由於鑽石膜表層因氧化而退化成石墨，進而導致線性的 I-V，而該特性並非真正的接面電性。經由再一次的化學蝕刻，去除表層石墨後，我們可得真正的金╱多晶鑽石膜接面電性是為蕭基接面。這結果可以解釋為何有些金屬╱多晶鑽石膜接面電性（如金、銀、鋁等）會因不同人的製程而有所不同。再則根據我們實驗結果，發現多晶鑽石膜之晶體晶面方向(如(100)、(111)等)會造成金屬多晶鑽石膜接面電性可靠性的問題，在鉑╱多晶鑽石以(100) 晶面為主的接面為一個蕭基接面。而在鉑╱多晶鑽石以(111) 晶面為主的接面是為歐米接面。 同時，我們發覺在MWCVD系統中會因基材距離電漿球中心的遠近而有不同晶面方向為主的鑽石膜產生。因此，晶體晶面方向在金屬╱多晶鑽石膜接面電性所造成的影響實在不可忽略。