Abstract
本研究利用雙電子槍蒸鍍系統製備 Pt51Al49、 Pt38 Al62、 Pt33Al67等合金薄膜於 n-GaAs 晶片上，經過 500 ℃ ~900 ℃ 20秒之快速退火處理後， 探討蕭基接面之微結構及電性。以 X 光繞射分析、歐傑電子能譜成分縱深分佈曲線分析、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡等， 分析界面 微結構及表面形態； 量測薄膜片電阻；並製作蕭基二極 體以探討其電性。結構分析顯示：Al 含量較高的薄膜熱 穩定性較佳； 且有較平整的表面型態。 Pt38Al62 及 Pt33Al67 經 900 ℃退火，仍無明顯界面擴散。 電流－ 電壓特性曲線分析顯示： Al含量較高的合金薄膜Pt38Al62/GaAs 和Pt33Al67/GaAs蕭基二極體，電性的熱穩定性較佳。