Abstract
一般而言, 金屬的熱膨脹係數及陰電懷與半導體差異很大, 在三五族高功率金屬半導體場效應電晶體的柵極, 入入在高溫的工作下, 金屬與半導體層起反應。因為鉬與砷化 的膨脹係數很接近且陰電性的差距很小, 故選擇它做為研究的對象。本實驗利用電子束蒸鍍法, 將鉬鍍在砷化 、砷化 磷的化合物上, 則鍍上的金屬特性很好, 會形成蕭特基二極體, 其理值很接近於1, 且反向飽和電流密度大約每平方公分是10 ?10 安培, 這證明用此方法所做的二檢體皆有良好的工作特性, 且此種特性符合熱離子的發射理論。實驗中, 發現長有磊晶層的砷化 其電性較一般的砷化 來得好, 因為在反向飽和電流測驗中, 漏電流很小, 且在缺陷晶體的研究中, 一般的砷化 有缺陷存在。在300℃剛鍍的時候有高出共價帶約一電子伏特的深缺陷存在, 經過400 ℃、500 ℃的熱處理后, 亦發現仍有缺陷存在, 分別是0.84, 0.71電子伏特。一般的砷化, 經過熱處理的溫度大於500 ℃, 二極體品質變差, 且礙障能變低, 但是磊晶層層則無此現象。由拉塞福的散射實驗知, 在高於500 ℃以上的砷化 或是砷化 磷皆有部份滲入半導內部, 且後者較嚴重, 這與陰電性的理論相合。然而, 鉬與其化金屬( 如金、鉬) 相比較, 其熱穩定性較佳。一般而言, 鉬是可用於三五族高功率金屬半導體場效應, 電晶體的柵極。