Abstract
本研究系利用橫截面電子顯微鏡試片之觀察，來探討鉬與矽晶之界面反應，鉬金屬薄膜由超高真空電子槍蒸鍍系統制備，由此可得完全乾凈之矽晶表面及薄膜。本研究之結果主要包括以下三部分：（一）MoSi2 在矽晶上之成長動力學:a-Si(25nm)/Mo(100nm)/(100)Si及a-Si(25nm)/Mo(100nm)/(111)Si兩種試片於氮爐中經500, 520與540 ℃, 不同時間之退火后產生六方晶系之二矽化鉬(h-MoSi2),其成長厚度隨時間加長而呈線性增加，顯示其成長為界面反應控制，在(001)Si 及(111)Si上之成長的活化能分別為(2.0±0.2)eV及(1.9±0.2)eV。在反應過程中Mo/MoSi2及M-oSi2/Si 界面均維持十分平整。（二）Mo/(111)Si之非晶質中間層的形成利用高解像能電子顯微鏡之研究, 發現在剛鍍上之Mo/(111)Si界面中有1.2nm 之非晶質中間層。經400 ℃退火后, 其厚度變厚, 其最大厚度大約2.0nm 。經425 ℃, 80分鐘退火后, 此非晶質中間層幾乎轉換為結晶相。（三）h-MoSi2 與t-MoSi2 之相轉換在800 ℃以下之退火溫度中, h-MoSi2 yl kwyggg 生成的相。經800 ℃, 30分鐘退火后, h-MoSi2 完全轉換成t-MoSi2 在900 及1000℃下t-MoSi2 為唯一生成的相。