Abstract
復晶矽由於其電阻系數太高, 將來在VLSI超大型積體電路之應用會受到限制, 有一種取代方法, 就是結合高導電性的金屬矽化物和復晶矽, 如此不但改進了復晶矽的導電性, 同時也保持了復晶矽的各種好處, 本論文就是將鉬鍍在復晶矽上再加溫處理, 研究其反應機構, 我們發現鉬和復晶矽間的反應溫度, 隨著蒸鍍時, 晶片加熱與否, 有很大的變化, 同時, 若復晶矽含有磷雜質時, 會抑制反應的發生, 相反的離子布植后之試片, 反應加速。同時反應后有2 種矽化物出現MoSi,Mo Si 。
- Title
- 鉬與複晶矽間之固態反應
- Translated title
- 鉬與複晶矽間之固態反應
- Creators
- 甘炯雄 (Author)
- Contributors
- 劉達中 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English