Abstract
一、利用離子束混合（Ion Beam Miting ）和夾層方法（Interposing Layer ）等技術來促進鉬金屬在矽晶上之磊晶成長。二、利用電子顯微鏡由橫截面來觀察鉬金屬和矽晶的反應情形，反應速率，界面形狀等等，進而找出鉬金屬和矽晶間反應所需的活化能（activat ion energy）。三、利用電子槍蒸鍍出Mo/Ni/Si和Ni/Si 兩種試片，然後進行熱處理，來探討鉬金屬矽化物和鎳金屬矽化物間相分離的情形（Phase separation research ）。四、利用Four-point probe來測鉬金屬矽化層的電阻，進而和由電子顯微鏡所得到的微結構間相互連繫。