Abstract
鉭矽化合物(TaSix) 因為具有導電性良好，熔點高，化性穩定等優點，已引起廣泛的研究。尤其是自準閘極砷化鎵場效電晶體，因需要經過高溫退火處理，所以閘極的材料必須使用耐火性金屬。本篇論文的目的，在研究砷化鎵上之鉭矽化合物(TaSix/GaAs)在CF + O 的電漿中，電漿蝕刻(Plasma Etching)和活性離子蝕刻(Reactive IonEtching)的情形，以取得較佳的制程條件。我們改變不同制程參數，以得到鉭矽化合物較大的蝕刻速率，及相對於砷化鎵有較大的選擇性(Selectivity) ；用歐杰電子質譜儀(AES) 檢視蝕刻後砷化鎵表面，以確定表面殘留物物質成份；然後用電子顯微鏡(SEM) 觀察鉭矽化合物橫切面，以膫解橫向蝕刻的情形。在電漿蝕刻和活性離子蝕刻時，鉭矽化合物均在CF + 10% C 有最大的蝕刻速率，且速率隨壓力，輸入功率增加而增加，而砷化鎵在活性離子蝕刻時，有較大的蝕刻速率，所以電漿蝕刻的選擇性遠較活性離子蝕刻為大，但是電漿蝕刻的橫向蝕刻相當嚴重，幾乎為等方向性，因此若要得到較好的垂直性，必須使用活性離子蝕刻。另一方面，電漿蝕刻可用光阻作為幕罩，活性離子蝕刻時因光阻侵蝕嚴重，須改用鋁為幕罩。而所造成的砷化鎵表面鋁污染情形，對後續歐姆接觸影響的程度，值得作更進一步的研究。