Abstract
由於製程技術的快速發展，砷化鎵場效電晶體(GaAs MESFETs)已被實用於高速的積體電路(IC's)系統之中。在各種不同的元件製程中，自準閘極製程(self-aligned gateprocess, 簡稱SAG process) [1-3]由於其平面化結構(planar structure)、低雜散阻抗及高存活率(high yield)等優點，再能夠符合新一代超高速積體電路高密度及小尺寸的要求，因此其未來發展極為被看好。這是第一個以T 期間，穿膜離子布植，配合快速加熱退火(RTA) 在GaAs上製成的MESFET，其T 閘的形成以Al為單幕，在CF + 0混合氣體(9:1) 中，在功率100W的情形下，以電漿蝕刻法製成。穿膜離子佈值是以Si在60KeV ，dose量1.2E13 cm 之條件離子佈植穿過TaSix (400A)下，再經RTA 850℃ 30秒完成，其Gm可達60 ms/mm，此值可由製程再以改善。在C-V 、DLTS及霍爾mobility測量下，我們推斷目前製程中，RTA 沒有有效地活化離子佈植後的傷害。可將條件改為900℃?15sec，由I-V 測量知n?1.5，又知製程中Rp?450A，TaSix 厚度為400A。在此條件下界面之傷害也會產生，我們也將會加厚TaSix 之厚度，以期得到完美界面。最後，在整個製程中，我們以TaSix 為閘極外，也將其當做cap layer ，在加熱過程中以防止Ga，As的逃逸。利用與閘極相同材料的cap layer ，亦有降低閘極附近橫向應力的好處。