Abstract
藉著拉瑟福後向散射實驗（RES），X光繞射儀，光學顯微鏡和穿透式電子顯微鏡我們觀測□Ta/Si□Ta/SiO3□TaSi2/Si的氧化三種系統中的反應情形。結果顯示在800 ℃退火溫度可以看到B-Ta2O3而TaSi2在Ta/Si 系統中於1000℃是火溫度可以看到而在Ta/SiO2系統必須高於1100℃才看得到。在TaSi2/Si的濕法氧化時我們提出二階氧化機構：在氧化初期TaSi2 先部分分解而在表面生成Ta2O5 與SiO2，直到基底的矽獲得足夠的能量可以迅速穿過TaSi2 在表面生成SiO2。前者初期氧化的活化能為40,3kcol/ank穿透TaSi2的活化能為25.6kcol/mole。基底矽擴散的動力論我們認為是取代型擴散（Substit ution diffusion） 和晶粒或晶界擴散一起發生。在1000℃時兩者之比例為 1:1，在800 ℃時約為1:3。