Abstract
我們利用穿透式電子顯微鏡，拉塞福背向散射光譜，X－ 光線繞射，光學顯微鏡，掃描式電子顯微鏡，以及四點量電阻儀器來研究鉭，矽界面反應之研究。我們發現在較低溫度下，如650 ℃，縱使在真空爐中（1×10-6 torr）鉭仍易於被氧化而形成β-Ta2O5而在1100℃高溫加熱雖然形成TaSi2 矽化物但仍含有微量氧化物且表面造成許多環狀裂縫隨著時間的增長，裂縫的密度增大。我們也發現利用砷離子的撞擊，使鉭及矽原子產生混合，而混合的效果隨砷離子的量及能量增加而加強，同時抗氧化的效果也隨著加強，在傳統熱處理我們僅發現 TaSi2，但在離子撞擊後熱處理卻可以發現許多多金矽化物，如TaSi3，Ta2Si，Ta3S，但僅能存在低溫下（≦700 ℃），在較高溫度上則僅有TaSi2的存在。除此之外我們尚可利用離子的撞擊使p-n 接合及金屬接點，在一次過程中處理完畢。