Abstract
本論文包括下列各項之研究： 1.二極濺鍍鉭，濺鍍電流，電壓及氣壓之關係曲線。 2.靜態真空系統（Static Vacuum System）中，預濺（ Presputtpring）鉭及 鎳對殘餘氣體之吸附效果。 3.定電流下，變換不同的電壓及氣壓，研究二極濺鍍鉭膜之濺鍍速率，薄膜密 度，電阻係數（ resitivity）及電阻過度係數（Temperature Coefficient of Resistance）之變化 4.鉭膜放大氣或真空退火之氧化現象及密度變化。 5.極低速率離子來濺鍍（ ion beam sputtering），濺鍍鉭，鋁，金，膜中所 含雜質之差異。 本論文所用分析儀器包括： 1.范氏加速器（Van de Graaff Accelerator）作拉塞福後向散射分析術（Rut -herford Backscattering Spectrometry ，簡記為RBS）分析薄膜組成。 2.穿透式電子顯微鏡（ＴＥＭ）分析溝膜結構。 3.干涉儀（interferometer）及橢圓光儀（Ellipsometer）量厚度及折射率。