Abstract
研究的是Ta╱Si, Ta╱Poly Si,Ta╱Sio ╱Si(Ta即為鉭) 的因態反應, 用拉塞福後向散射述及X 射線繞射儀及光學顯微鏡來分析。我們發現Ta╱Polysi的反應似乎比Ta╱Si來得容易些, 反應形成的矽化物均為Ta Si, 其成長連率均與退火時間的平方根成正比。反應活化能在Ta╱Si系統為3.36eV, 在Ta╱PolySi為3.32eV。在Ta╱Si O ╱Si系統, 我們得知經退火後在Ta與SiO 間有一層Ta O 產生。
- Title
- 鉭薄膜在矽晶片及氧化之矽晶片上的固態反應之研究
- Translated title
- 鉭薄膜在矽晶片及氧化之矽晶片上的固態反應之研究
- Creators
- 廖和仁 (Author)
- Contributors
- 劉遠中 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English