Abstract
利用X 光繞射分析、穿透式電子顯微鏡，掃瞄式電子顯微鏡，歐傑成分縱深分佈分析及I－V特性曲線研究cr╱uals及cp╱sl╱GaAs系統作的界面反應。Cr（１５００A ）╱GaAs經６００℃半小時退火後，產生Cr Ga ，而於Cr（３００A ）╱GaAs則產生和GaAs有優選方向性的未知化合物。於７００℃以上，Cr Ga 、Cr As（７００℃時尚有CrAs）二相共存於GaAs基板上，且Cr As在高溫有趨於分解的傾向，由於界面能及表面能的因素，致使薄的試片之Cr As則有延緩分解之現象。於８００℃以上，吾人發現薄膜已熔化，其快速冷卻的結果使得表面形態與７００℃時有很大的差異。I－V特性曲線為蕭基性質，但若GaAs基板電子濃度小於１０ ╱cm ，則因向基板擴散的關係致使電阻增大。於Cr╱Si╱GaAs系統，吾人已證實CrSi 可在GaAs基板穩定至850℃， 而化學計量的誤差時導致高溫時Cr Ga 之生成於６００℃，退火後單層及多層Cr╱Si╱GaAs試片皆得到機奸的號基性質而更高溫度下，則因Ci向GaAs界面擴散而使電阻增大。此外，Cr極容易於５５０℃以上形成氧化層，於更高溫氧化層則逐漸被界面反應物（Cr As，Cr Ga ，CrSi ）所取代。最後吾人觀察得Si╱GaAa在９００℃二小時退火後，仍然未起任何化學反應。