Abstract
由鉻和CrSi2 之晶體結構分析，發現CrSi2 之（0001）面和Si之（111 ）面同樣具有最緊密堆集的排列，且晶格之大小極為接近，符合磊晶矽化物成長的條件，本研究著重於此方向的研究。TEM、X-ray、EPMA及Hell-measurement被用來做微結構和電性方面的探討，結果我們發現，CrSi2 可以很完美地在（111 ）Si上長成磊晶，而在（010 ）Si及（101 ）Si向亦發現有部份磊晶的成長經TEM 分析顯示（111）Si11（0001）CrSi2 ，（202）Si11（2020）CrSi2 ，（224）Si11（2240）CrSi2及[101]Si11[1213]CrSi2，[114]Si11[1216]CrSi2，[010]Si11[2423]CrSi2等特別方向關係。同時，我們發現基底加熱及二階段退火及在鉻和矽晶之間鍍上一層很薄的鎳，將有助於磊晶的成長。Ｘ-ray及EPMA亦被用來輔助TEM 作觀察，也提供了多種資料，有助於觀察現象的說明。同時，Hall measurement提供了關於CrSi2 在電性方面的了解，使其與微結構作了相當好的佐助說明。