Abstract
本研究利用雙電子槍蒸鍍機製備MoB、Cr64B36、Cr49B51和Cr42B58合金薄膜於砷化鎵 晶片上，經過500~900℃20秒之快速退火處理後，探討蕭基接面之微結構及電性。以X光 繞射分析、歐傑電子能譜成份縱深分佈曲線分析、掃描式電子顯微鏡、光學顯微鏡等，分 析界面微結構及表面形態；量測薄膜片電阻；並製作蕭基二極體以探討其電性。結果顯示 硼合金材料中，MoB除與砷化鎵晶片的膨脹係數不匹配，有龜裂現象外，與砷化鎵接面的 高溫穩定性良好，尤其是高溫穩定的接面經退火後其蕭基能障值沒有劣化；而在鉻硼合金 薄膜與砷化鎵接面中，以Cr64B36與砷化鎵晶片的膨脹係數差異較大，有裂紋現象，且化 學穩定性較差，在600℃退火即開始發生反應。而B含量愈高之組成，高溫退火後化學穩定 性愈佳，Cr45B58/GaAs經900℃退火才有界面反應。蕭基二極體的能障高，不會隨退火溫 度升高而有大變動。而在本研究的三組鉻硼合金中，可看出B量最多的Cr42B58有較高的能 障值。界面反應物是造成蕭基電性劣化的主因。