Abstract
元件閘極氧化層日益變薄的趨勢是一直不斷的，但當氧化層厚度薄至25A以下時元件會因為直接穿遂效應而產生很大的漏電流，而我們使用的HfOxNy將可以避免上述情況的發生，同時引入化學乾式清洗(Chemical Dry Cleaning)的製程處理步驟觀察其對電性的影響。文中發現C.D.C.處理對元件在漏電流相關參數例如Ioff與Ileak上會有造成將近一個數量級的改進，原因則是由於C.D.C.表面處理對junction 區及元件接近通道端點去除damage layer後所收到的效果。但由於本身製程中電漿傷害的關係，將會使得臨界電壓(Vth)與最大轉導(Gm)的特性衰退。 接下來我們觀察隨天線比例的增加，元件是否會具有電漿充電效應的現象。整理後我們得到了電漿充電效應的確會由臨界電壓(Vth)、最大轉導(Gm)的下降、Ioff與Ileak的上升與可靠度上之變差來觀察的到。此外，經過C.D.C.處理過後，對Ioff與Ileak方面之前元件受天線效應的影響將得到改善。不過同樣的，由於C.D.C.處理過程中的電漿傷害，將會使臨界電壓(Vth)、最大轉導(Gm)的電性與可靠度方面形成不良的影響。