Abstract
本研究是以雙電子槍蒸鍍Ｈｆ和Ｈｆ63Ａｌ37、Ｈｆ59Ａｌ41、Ｈｆ53Ａｌ47、Ｈｆ45Ａｌ55、Ｈｆ37Ａｌ63、Ｈｆ29Ａｌ71六種不同成分之合金薄膜於GaAs晶片上，經過500?900℃ 20sec的快速退火處理後，分析其結構上以及電性上的變異與性質。使用Ｘ光繞射儀(XRD)，歐傑電子能譜分析儀(AES)、掃瞄式電子顯微鏡(SEM) 等儀器來分析界面結構，並量測薄膜之片電阻，製作二極體量測電性，求得理想因子和能障高。結構分析上顯示Ｈｆ29Ａｌ71╱ＧａＡｓ、Ｈｆ37Ａｌ63╱ＧａＡｓ、Ｈｆ45Ａｌ55╱ＧａＡｓ和Ｈｆ63Ａｌ37╱ＧａＡｓ約在 700℃時發生化學反應；Ｈｆ53Ａｌ47╱ＧａＡｓ和Ｈｆ59Ａｌ41╱ＧａＡｓ則在 800℃時才發生界面化學反應。六種Ｈｆ□Ａｌy ╱ＧａＡｓ的表面形態皆十分平整，只有在經過900℃ 20sec的退火後變得稍粗糙；片電阻則在 600℃以上隨退火溫度之增加呈一遞減的趨勢。在電性分析方面，Ｈｆ37Ａｌ63╱ｎ－ＧａＡｓ、Ｈｆ45Ａｌ55╱ｎ－ＧａＡｓ和Ｈｆ53Ａｌ47╱ｎ－ＧａＡｓ的二極體均擁有優良的高溫穩定性，經過900℃ 20sec 的退火後，其ｎ值甚至可達1.05。而除了Ｈｆ59Ａｌ41╱ｎ－ＧａＡｓ和Ｈｆ63Ａｌ37╱ｎ－ＧａＡｓ二極體的能障高隨退火溫度之升高而遞減外，其餘四種合金薄膜組成皆呈遞增的趨勢。