Abstract
可重覆讀寫的光碟已經被廣泛地使用，而主要被採用地兩種記錄層材料為GeSbTe及AgInSbTe 兩種系統。我們所採用地系統為AgInSbTe，該系統擁有可完全擦拭地優點，但因為他的結晶相是非stochiometric 結構，所以他的重覆性一直是他的缺點，根據文獻，採用混合Ar及N2，由此方法可以得到相當明顯的改善，但當N2的量過多的時候，則其覆寫率又反而會下降，由我們的實驗結果顯示，當我們將不同N2量的樣品做ＤＳＣ分析時，我們可以發現其相轉換的溫度也會有類似的現象發生，當過量的N2時，其相轉換的溫度反而會下降，由Kissinger的方式我們亦可以得相同的結果，另外我們由ＦＴＩＲ的量測發現Te-N的鍵結現象，我們推測當N2的量過多時，反而造成其反應效率下降，N2可能是以分子的形態存在而非N的原子，與文獻所發現，當N2的量增多時會有孔洞的產生的現象可以相吻合。 在另一方面，相變化光碟的另一個改善的方向是穩定度的問題，我們採用共同濺鍍的方式將Ge摻雜進AgInSbTe系統之中，我們經由ＩＣＰ的量測可以發現當Ge 的量隋著其功率成正比，經由ＤＳＣ的分析可以發現當5%以上的Ge會造成相轉換的溫度明顯的上升，這將不適用於相變化光碟之中，但如果是2.5%的Ge其相轉換的溫度雖然會有小幅的上升，但其活化能將有明顯的提升，我們經由ＭＪＡ（Johnson-Mehl-Avrami）的公式將可以發現對於穩定度會有明顯的改善。