Abstract
用穿隧式電子顯微鏡,歐傑電子能譜與片電阻的量測來評估銅在二氧化矽上的熱穩定性。由於銅在二氧化矽上的附著性不佳,經過400℃退火後,銅在二氧化矽上形成球狀島嶼。銅與二氧化矽並沒有發生界面反應。為了改善附著性,在這個研究中,Ta與Nb被用來做為粘著層和保護層。 Ta/Cu/Ta/SiO2與Nb/Cu/Nb/SiO2結構分別可維持穩定至500℃與400℃退火。當退火溫度更高時,銅會在表面被氧化而使得銅失去了其優良的導電性。為了避免銅的熱氧化,非晶質矽被選來做為表面的附蓋層。在a-Si/ Ta/Cu/Ta/SiO2與a-Si/Nb/Cu/Nb/SiO2系統中,經過600℃退火,銅膜仍維持連續也沒有氧化。所以,非晶質矽可有效地防止銅氧化。