Abstract
本論文研究主要合成CuInS2和CuGaS2的三元型半導體奈米粒子。以材料區分，可分為兩大部分。第一部分，我們以Copper iodide (CuI)， Indium acetylacetonate (In(acac)2)和thiourea為反應物，加入butylamine和toluene，當界面活性劑與溶劑，利用溶劑熱法合成CuInS2的奈米材料。合成出的CuInS2奈米材料是由薄片狀奈米結構組織而成，經過分析可觀察薄片厚度約1nm左右，之後在做更仔細的奈米結構分析於內文中。此材料的吸收光譜可顯示CuInS2材料的標準特性，可吸收大部分的可見光，而光學能階經計算為1.6eV，與塊材的1.45eV有藍移的現象。第二部分，我們利用不同的硫前驅物，sulfur和thiourea，可合成出黃銅礦和纖鋅礦結構的CuGaS2奈米粒子。這些奈米粒子可均勻分散於有機溶劑中。透過晶格模擬與實驗證明CuGaS2纖鋅礦結構與纖鋅礦奈米粒子的生長機制；另外，在高濃度反應條件下，經由不同溫度與濃度參數探討奈米線生長機制；最後本論文提出控制合成黃銅礦和纖鋅礦CuGaS2奈米粒子和奈米線的方式。這兩部分將有助於在溶液相以簡單且低成本方式合成與控制三元半導體奈米材料的結構與形狀。