Abstract
利用同步輻射觀和低能量電子繞射儀來觀察室溫下銥矽化合物的初期成長模式，我們發現當銥原子一鍍上乾淨的Si(100)表面即產生反應造成LEED圖形的模糊和Si 2p能譜中表面訊號的消失和波峰的偏移(chemical shift)。當厚度到達5.0 ML有兩種相，其一為非結晶且無特定成份比例的銥矽化合物，另一種則是原子交換後再聚集的矽原子群。經過600 ℃退火，高溫提高了遷移率使表面的銥原子會往內層跑但也排除了部分鍵結不強的表面和內層的銥原子。使得表面上是以非結晶相的矽原子群為主以及殘存的銥矽化合物Ir3Si2所構成的新表面，而內層則是包含成份不均勻的多種銥矽化合物和部分矽原子群。 另外，我們把金屬銥直接鍍在600 ℃的矽晶片上，再用同步輻射光觀察銥矽化合物的成長模式，發現有一種非結晶的過渡相的IrSi2生成，隨著時間的增長和金屬銥越鍍越多後，過渡相會慢慢消失並形成一穩定的結晶相Ir3Si5。