Abstract
銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)通常應用在各種光電元件，不同的用途對ITO膜等各種透明導電薄膜的性質需求也有所差異。本實驗以電感式耦合電漿系統(ICP)產生氧氣、氮氣電漿作用在ITO玻璃，探討不同電漿條件：RF 功率、壓力、時間作用後，ITO的導電度、表面組成元素比例及粗糙度的變化。得到氧氣電漿作用後會增加ITO的片電阻；氮氣電漿作用後會減少ITO的片電阻。並且表面組成元素比例也會改變，粗糙度變的較平滑。除此之外，還量測電感式耦合電漿系統的氧氣及氮氣電漿密度之電漿特性，以期瞭解電漿狀態與電漿作用在ITO之關係。進而得到微調ITO膜的性質，以應用在各種用途。