Abstract
本論文利用銻為溶劑(Sb-rich solution)，以液相磊晶技術(Liquid- phase epitaxy)之超冷卻法(super cooling)成長銻砷化鋁鎵/銻砷化銦 鎵(AlGaAsSb/GaInAsSb)異質結構磊層於(100)晶向的n+銻化鎵基板(GaSb substrate)上 ，進而製作紅外光偵測器(Photodetector)，其有效偵測波 長範圍在1.2um至1.9um。關於磊層的特性分別以Nomarski相位對比照相、 掃描式電子顯微鏡照相(SEM)、光激發光譜(PL spectrum)、X射線晶格繞 射光譜、電子探針微組成分析(EPMA)、水銀探針電容-電壓量測(Mercury C-V)等加以分析。未摻雜的銻砷化銦鎵磊晶層，其背景電洞濃度為4.5e16 cm^-3;而未摻雜的銻砷化鋁鎵磊晶層，其背景電洞濃度為3e16cm^-3。利 用10%之碲摻雜銻化鎵取代未摻雜的銻化鎵，可以成長出電子濃度為3e16 cm^-3的銻砷化銦鎵磊晶層，與電子濃度為4e16cm^-3的銻砷化鋁鎵磊晶層 。由於元件的逆向偏壓暗電流頗大，所以在元件操作上較適合在光電模 式(photovoltaic mode,bias~0V)下工作。經由電容-電壓量測分析，可計 算出吸光層的載子濃度為6e15cm^-3，較佳的元件暗電流在-0.5V時為15 mA/cm^2，其崩潰電壓最大約30V。在0V操作下，光波長為1.85um時的光響 應度與外部量子效率分別為0.64A/W與43%，而在1.2um至1.9um的範圍內， 外部量子效率也都在30%以上。