Abstract
本論文以歐傑電子能譜儀(AES)、原子力顯微鏡(AFM)與場發射掃描式電子顯微鏡(FESEM)，研究在階梯式與非階梯式SiO2上， Al-0.5%Si-0.5%Cu合金導線的電遷移現象。在200度施加電流後，測量其電性變化及各種電遷移缺陷的型態與成份分佈。電遷移缺陷形成的順序，先形成凸起或Cu聚集的白色斑點，再有孔洞的產生。階梯式導線將加速孔洞的生成，縮短導線的生命期。階梯式試片中，孔洞發生在電子流向上的階梯前；電子流向下的階梯邊緣或附近則有白點出現。楔狀孔洞從導線邊緣向中央成長，到一定大小時，將引發導線另一邊生成新的孔洞，兩側孔洞在導線中會合使導線形成斷路。孔洞的邊緣及白點處的Cu含量較高，可能與Al2Cu生成有關。整條導線Cu含量分佈在施加電流後並無明顯變化。本論文也由觀察到的電遷移缺陷，推測其成長的模型。