Abstract
本實驗以同步輻射光照射鋁合金真空材料表面，研究不同的樣品處理方法以及不同樣品位置下之光子引發釋氣的行為，實驗中發現主要釋氣為 H2、CO、CO2、CH4及H2O。亦發現各樣品釋氣率有很大的差異，而釋氣來源有三種：真空腔、樣品基座以及樣品本身，其中，來自真空腔的背景釋氣非常明顯，在曝光劑量大於1mAh時，發現有一大部份比例的釋氣可能來自溫度效應。我們估計溫度效應所造成的熱釋氣的比例，在劑量大於1mAh時，約佔總釋氣率的50%，而且，此比值隨著釋氣分子種類不同而有所差異。對於光子引發釋氣問題，可發現同步輻射光的清洗效果具有記憶效應，以及水釋氣的行為非常特殊，但是，水釋氣行為卻無法完全用熱釋氣行為解釋。 在材料的表面處理方面，本文比較了輝光放電清洗及樣品污染對光子引發釋氣的效果，實驗中發現輝光放電清洗效果並不明顯，而污染的樣品可發現具有極高的釋氣率。驗以同步輻射光照射鋁合金真空材料表面，研究不同的樣品處理方不同樣品位置下之光子引發釋氣的行為，實驗中發現主要釋氣為 CO、CO2、CH4及H2O。亦發現各樣品釋氣率有很大的差異，而釋源有三種：真空腔、樣品基座以及樣品本身，其中，來自真空腔的釋氣非常明顯，在曝光劑量大於1mAh時，發現有一大部份比例的釋能來自溫度效應。我們估計溫度效應所造成的熱釋氣的比例，在劑於1mAh時，約佔總釋氣率的50%，而且，此比值隨著釋氣分子種類而有所差異。對於光子引發釋氣問題，可發現同步輻射光的清洗效有記憶效應，以及水釋氣的行為非常特殊，但是，水釋氣行為卻無全用熱釋氣行為解釋。 在材料的表面處理方面，本文比較了輝光放洗及樣品污染對光子引發釋氣的效果，實驗中發現輝光放電清洗效不明顯，而污染的樣品可發現具有極高的釋氣率。