Abstract
本實驗鑑於本實驗室之前系統的缺點，設計此套系統，新的系統具有下列功能(1)樣品的改良，可直接通水冷卻，以減少熱釋氣(2)樣品可加偏壓，可藉此來判斷電子引發釋氣的效應(3)加裝二次離子質譜儀，用此來分析樣品經不同處理（同步輻射光照射前後或輝光放電清洗前後）樣品表面的組成變化(4)如裝Si晶片屏蔽，由於Si晶片具有較低的二次電子產率及光子引發釋氣率，藉此特性來減低二次電子或散射光子所產生釋氣的干擾(5)清洗系統的改良，樣品在輝光放電處理後可以in-situ分析，不必破壞真空以避免污染。實驗中發現光子釋氣種類依信號強度由大至小為CO>CO2>CH4>H2，而水的訊號非常特殊，在光子劑量累積量至20mAh~50mAh有一高峰的訊號，再次證明之前的系統觀察到的現象。此外也發現被同步輻射光照射後的樣品，具有較大的活性，樣品經輝光放電清洗後，質量數為12、24、25、35、37的信號（可能為C、C2、C2H、35Cl、37Cl）有下降的趨勢。