Abstract
我們本文研究用鋁和二釩化矽去做很淺接面( 約0.3 微米) 的歐姆接點之性質。因鋁造成接面短路被發現於更深於0.3 微米的接面。好且又穩定的淺接面接點已能做出經由使用V (1500 )╱Al(5000 )鍍金屬系統。歐姆接點的品質, 利用漏電流及接面電阻的大小加以追蹤。接點性質的熱處理世加以研討。
- Title
- 鋁和二釩化矽在離子佈置n＋－p淺接面上接點的比較
- Translated title
- 鋁和二釩化矽在離子佈置n＋－p淺接面上接點的比較
- Creators
- 楊蕭銘 (Author)
- Contributors
- 黃瑞星 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English