Abstract
利用熱燈絲化學氣相沈積法(HFCVD)成長的多晶鑽石膜，來製作鋁╱氮化矽╱多晶鑽 石MIS結構。在此MIS結構中，鑽石膜的串電阻嚴重影響電容的量測，利用Cs mode量測電 容較合適。實驗發現，電漿輔助化學氣相沈積法(PECVD)成長的氮化矽薄膜中含有微量的 氧，在850℃快速退火後，氫從薄膜中釋出，薄膜變得更緻密，Si-N的鍵結變強，折射係 數變小。由鋁╱氮化矽╱p型多晶鑽石MIS結構的電容──頻率量測發現，p型多晶鑽石含 有許多深層能階雜質，且鋁╱氮化矽╱p型多晶鑽石MIS結構的interface charges很多， 電容──電壓循環特性曲線有遲滯迴圈存在。在氮化矽850℃快速退火後，鋁╱氮化矽╱ p型多晶鑽石MIS結構電容特性變好，漏電流變小，interface charges變少，電容──電 壓循環特性曲線的遲滯迴圈變小。