Abstract
利用熱燈絲化學氣相沈積法（HFCVD）所成長的P型多晶鑽石薄膜，製作鋁╱氮化矽╱多晶鑽石薄膜MIS結構。若以n型（100）矽為基材的MIS結構，發現在鋁╱多晶鑽石膜歐姆（Ohmic）接面處殘存些微的氮化矽，是製程上（蝕刻氮化矽）難以克服的問題；若改為正背面鋁╱氮化矽╱多晶鑽石薄膜╱P＋矽╱鋁MIS結構，可以省略蝕刻氮化矽的步驟，則結構特性會變好。實驗發現，電漿輔助化學氣相沈積法（PECVD）成長的氮化矽薄膜中，氧的含量相當少，經800℃快速退火後，氧的含量些微增加，氫從薄膜中釋出，使得薄膜更為緻密，折射係數變小，漏電流變小。由不同氮化矽厚度鋁╱氮化矽╱多晶鑽石薄膜╱P+矽╱鋁MIS結構的電容 - 頻率量測發現，多晶鑽石薄膜中有許多深層能階雜質，電容 - 電壓量測發現，MIS結構的interface charges很多，且造成電容 - 電壓循環曲線出現遲滯迴圈，迴圈面積隨著氮化矽膜厚度的增加而變大。當氮化矽膜經850℃爐管退火後，鋁╱氮化矽╱多晶鑽石薄膜╱P+矽╱鋁MIS結構的電容特性變好，漏電流變小，interface charges變少，遲滯迴圈面積變小。但是隨著氮化矽厚度的增加，退火的效應就越小。