Abstract
本研究利用X 光燒射,掃描式電子顯微鏡,表面電陰量測及'I-V特性曲線探討MOAlx/GaAs接面系統,經500-1000℃ 快速升溫, 退炎20秒後的組成, 微細結構及電氣特性。以共同濺鍍方式來制備MoAlx 薄膜, 由拉塞福背向散射實驗來鑑定鍍層的成份, X 值分別為0, 0.35,2.7,及7.0 。X 光繞射分析顯示出MoAl.35/GaAs和MOAl /GaAs 在900℃退炎後, 仍維持穩定的界面;而Mo/GaaAs 及MoAl /GaAs 比較不穩定，其界面反應分別在800℃ 及900℃ 發生。蕭基接面經不同溫度退火後，其能障與理想因子，表面形態等變化都和由X 光繞射分析的界面穩定性相契和。其中，MOAl /GaAs 經900℃退炎後,呈現出最高的能障值(0.98V), 理想因子亦接近1 (n=1.1) 。對於穩定的蕭基接面，能障值隨退炎溫度而升高；能障值的提昇是由於退火後，在界面上形成了AlxGa -xAs的原因。另外，蕭基界面上覆有Si N 者，退炎後均呈現出較高的能障質及較低的理想因子，此結果顯示Si N 有阻礙Ga 或As向外擴散的功能。