Abstract
本實驗利用粉末乾壓法製作鋯鈦酸鉛鋇塊材(Pb5Ba5Zr1-xTixO3)以及化學液相沉積法方式在Pt/Ti/SiO2/Si基板上鍍製薄膜。本文主要目的在探討氧化鈦對鋯酸鉛鋇陶瓷材料調變電性影響，成份選擇在損失較低的順電區，並且逼近調變力較高的鐵電區和順電區轉換交界。塊材部份所選擇的成分為x=0、0.1、0.2、0.3、0.4及0.5，探討各不同成分對電性的影響，由結果得知塊材之介電常數和散逸因子隨著鈦含量增加而增加，在1MHz的頻率量測下x=0.1及0.2的塊材擁有較低的損耗，分別為0.0017及0.0022，在0.1GHz下仍能表現出低損耗狀況，分別為0.02147及0.01744。由於塊材中x=0.1及0.2的優異表現，因此即選擇此兩成份來鍍製薄膜，並且加上x=0成份來做比較。薄膜部分，介電常數隨著鈦含量增加而提升，散逸因子約落在0.01至0.03間，而熱處理溫度提高也同時提高薄膜的介電常數及調變值。在x=0.2，熱處理溫度6500C條件下有優異的電性表現，其介電常數約60，在外加電場約380kV/cm下其散逸因子為0.0117，FOM值有最佳的26.04，在較低的溫度即可達到最佳的電性表現，顯示在鋯酸鉛鋇的材料中加入鈦原素能增進鋯酸鉛鋇之調變電性．