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鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)鐵電薄膜低溫製程之研究
Thesis

鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)鐵電薄膜低溫製程之研究

陳猷仁
Masters, 國立清華大學, 材料科學工程學系
1997

Abstract

鋯鈦酸鉛鑭 鐵電薄膜
由於強介電薄膜具有一些特殊的介電性、焦電性、壓電性與光電性,以致早在1970年代就開始被應用到電子與電光方面的設計,所使用的材料,大部份是一些具有鈣鈦礦(Perovskite)結構的材料。 本實驗主要是討論低溫下利用雷射剝鍍鋯鈦酸鉛鑭(PLZT),再經由不同的熱處理過程,使其形成結晶相並探討熱處理條件對電性及表面結構的影響,及緩衝層對鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)結晶性及電性的影響,並嘗試利用低溫製程低溫鍍膜的等優點,製作鐵電薄膜圖紋。電射剝鍍法具有容易維持化學計量比、高鍍膜速率、以及可在較鎬的壓力下鍍膜等優點,因此特別適合多成份化物薄膜的製作。 在PLZT與白金(Pt)電極間加入一緩衝層,可有效降低PLZT成相的溫度,抑制焦綠石相的生成,防止疲勞現象的發生,並能防止基板物種擴散至PLZT薄膜層中,對電性亦有很大的助益。以雙電極Pt / SRO上PLZT鐵電薄膜的最佳電性是:Pr = 19uC / cm2, Ec = 78kV / cm 。

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