Abstract
在本研究中利用穿透式電子顯微鏡配合晶格影像模擬理論及歐傑電子電子能譜探討鋯、鉿金屬薄膜與矽晶界面反應的情形, 並配合電流-電壓曲線的量測 探討鉿金屬薄膜與矽晶反應時, 其蕭特基能障的變化情形。實驗的第一部份發現鋯、鉿金屬薄膜與矽晶反應時形成非晶質夾層並在矽化物形成初期有多相矽化物同時生成的現象。而以往認為矽化物之成長為依序成長之理論必須修改。第二部份對於矽化鋯及矽化鉿之結構及微結構深入探討並發現多種型式的平面型缺陷及優選長晶的存在。第三部份研究在鈦、鋯、鉿金屬薄膜與矽晶所生成非晶質夾層反應中主要擴散元素。本實驗的結果發現矽在這三個反應系統中是主要擴散元素, 對於鈦、鋯、鉿三個系統與矽的反應, 其矽與金屬的消耗量比值分別為 1:1.78, 1:1.86 及1:1.200。第四部份發現鉿金屬薄膜與矽晶界面所形成之蕭特基能障在非晶質夾層形成之溫度範圍內有一固定值。非晶質夾層與矽晶之間的均勻同質界面, 提供了一個適合研究蕭特基能障形成原因的對象。