Abstract
LiTaO□& LiNbO□ 兩物質在光電、壓電與焦電的運用上具有吸引人的特性。LiTaO□的焦電性尤其突出，在紅外偵測器上有很大的發展潛力。而LiNbO□ 在積體電路的發展扮演重要角色。然而兩者使用尚未普遍，主要因為燒結溫度大於1300℃，降低燒結溫度是目前研究的方向。加入MgF2後LiTaO□ & LiNbO□ 燒結溫度皆從1300℃下降至900 ℃。與文獻的報告相同。LiNbO□ 的粉末是由solprecipitate的方法製造出，其顆粒小、表面能大，燒結溫度將降低。在1100℃可得到大於90％的燒結密度。為了得到較佳的焦電效應，以TiO□加入LiTaO□將其居里溫度從620 ℃降至320 ℃。但由於TiO 會導至大的熱膨脹，故TiO□ 的加入將引起裂痕，使得試片極脆。假如MgF2加入量不多於3 ％，將可避免裂痕產生，但其居里溫度會大於900 ℃。在介電性質的測量，發現加入MgF□將使LiTaO□以及LiNbO□ 的介電質對溫度變化的程度提高很多，大約100 ?1000倍。MgO 在試片的形成將引起大的極化量，尤其當溫度升高至約800 ℃時，將引起大的介電值。而TiO□ 的加入會使介電值對溫度變化的程度降低。此效應可由Ti與Ta離子半徑的大小效應來解釋（Ti□□（0.58A ），Ta□□（0.73A））。當Ti□□取代Ta□□其晶格常數將變小，由X-Ray繞射值所得的晶格常數符合推論。