Abstract
不同於多數團隊選用 Ge2Sb2Te5作為研究相變化記憶體的相變化層材料，我們選用GeSb9材料作為研究主軸，由於其快速相變化的能力，適當地結晶溫度以及結晶活化能，期望在PCM的應用上有所突破。延續學長先前的實驗，元件結構設計採用三明治 (Sandwich)結構，但是由於後續實驗考量，因而將上電極面積微縮，以新設計的結構製備2 µm的三明治結構元件，同時配合電子束微影系統 (E-beam lithography system) 將尺寸進一步微縮，開發線寬為100 nm的元件結構。 在2 µm元件電性測試結果中，觀察到與先前學長實驗結果不同的現象，甚至造成元件失效，配合TEM觀察元件斷面，我們清楚觀察到元件內部結構毀損情形以及相變化材料的結晶現象，並試著討論此失效機制可能的原因。 在100 nm元件開發中，由於尚無法掌握正確的製程參數，導致開發過程受阻，針對實驗上可能改進的方面做一步討論，提出改進措施，作為日後製備元件的方針。