Abstract
本研究主要探討不同微結構狀態的記憶層與金屬電極層間的附著性，研究結果發現初鍍膜表面最平坦，FCC相次之，HCP相最粗糙，而實驗所得的吸附力是初鍍膜最佳，FCC相次之，HCP相最差，而隨著不同微結構的轉變，利用AFM也可以明確觀察到膜層厚度(體積)隨微結構的改變，轉變為FCC相膜厚相對於初鍍膜減少7%，轉變成HCP相膜厚相對於初鍍膜會減少9.1%，在記憶層和電極雙層初鍍膜中發現到有明顯的Te原子擴散入電極的現象，當溫度上升到600℃，會有Si原子擴散進入TiW層中，而Si基板中的Ge原子含量也明顯增加。