Abstract
本研究是以穿透式電子顯微鏡以及四點探針來從事鎢薄膜在矽晶上界面反應之研究。目的在於了解各有關矽化鎢的反應系統。在鎢200A╱鎳200A矽的系統中，經過350?950℃的真空退火可成長局部的雙層磊晶。由原子結構與匹配的觀點來看，矽化鎢在矽化鎳的磊晶上再磊晶上再磊晶成長是可能的，因為矽化鎳的結構及晶格常數都與矽晶很接近，在此系統中當退火溫度升至1000℃以上（高於矽化鎳的熔點980 ℃）時會產生一新型的矽化鎳磊晶成長（Ｃ–型）其方向觀系如正文中所示。在鎢╱鎳系統中的中間薄夾鎳鍍層（約20A 厚），促進了鎢與矽晶之間的反應，這很可能是因為鎳快速地移動造成鎢與矽在界面區域有一過渡的混合層的原矽。以砷離子束混合鎢（200A）╱Si的試片後再做退火發現矽化鎢在矽晶面上成長分佈的狀況比未以離子速混合的試片好。由已發表的文獻中知砷離子在矽化鎢中會因退火而往外擴散。由低壓氣相蒸鍍在矽晶上的鎢或矽化鎢在經過退火後其晶粒大小與矽晶表面的覆蓋率都大大地提高。而且在鍍鎢的試片中經1100℃真空退火也發現有磊晶的矽化物長成，晶粒遠比由電子槍蒸鍍的試片所產生的要大，這很可能是由於在氣相蒸鍍的過程反應會產生氟化氫而產生臨場清潔鎢與矽晶界面的效果。在渡矽化鎢的試片中，經過高溫退火鍍膜中多餘的矽會在矽化鎢與矽晶間產生矽的雙晶。參考資料如正文中所列。