Abstract
由於超大型積體電路的發展，使許多傳統上原本用來製造積體電路的材料無法滿足製造上及使用上的各項要求。研究金屬矽化物是為了解決積體電路金屬化的問題。鎢矽化物具有優良的物性和化性，所以成為研究的目標。利用單束電子槍在矽晶片上蒸鍍鎢及矽薄層；發現蒸鍍後就已有W5Si3 相產生。WSi2由六面積體結構轉換成四面體結構的轉換溫度會隨著不同的實驗條件而改變。以vander Pauw方法量得的電阻值將隨著反應溫度的提高或反應時間的增長而降低。在WSi2或鎢金屬薄膜上蒸鍍一層鋁薄層後，於450℃到700℃的範圍內進行熱處理，實驗結果顯示A1與WSi2在600℃ 產生反應，A1與W在500℃產生反應；在蒸鍍鋁膜之前，若預先在鎢薄膜層上進行B+佈值，則由實驗結果得知A1與W 的反應溫度將高550 ℃。