Abstract
二矽化鎢(WSi2)最近已經被超大型積體電路所應用，尤其是直接鍍金屬膜，再熱處理成二矽化鎢的方法也漸受重用。但至今有關金屬和矽晶界面間的反應，尚未完全被控制。本研究主要目的在探討二矽化鎢的形成動力學(Kinetics)。本實驗由超高真空電子槍和濺鍍兩種方法鍍金屬膜，再經氮爐或快速退火爐施于熱處理，最後經由空透式電子顯微鏡平視及橫截面試片觀察，Auger 電子能譜儀分析及X光繞射儀，測出二矽化鎢的厚度和相態。研究結果包括：(1) 二矽化鎢形成在680 到800℃ 之間。(2) 形成的動力學是由擴散所控制(diffusion controlled)(3) 在快速退火爐所形成的二矽化鎢和矽晶間的界面表面形態比在氮爐的更佳。(4)對超高真空電子槍蒸鍍的部分在矽晶是(001) 方向的試片,其活化能是2.6eV在矽晶是(111) 方向的試,其活化能是2.6eV(5)對濺鍍方面在矽晶是(001) 方向的試片,其活化能是3.1eV(6) 相的鑑定矽日與鎢膜之化合物,在過去的研究中,有W5Si與WSi2二種，而他們分別有tetragonal和hexagonal 二種相態,但在本研究的退火範圍中,(650℃~900℃) 只有tetragonal-WSi2 被發現，其他W5Si3 和h-WSi, 均未被發現。